【產(chǎn)品介紹】

技術(shù)參數(shù)：

1.分辨率:

　二次電子:

　　高真空模式3.0nm @ 30kV, 8nm @ 3kV

　　高真空減速模式7nm @ 3kV (可選項)

　　低真空模式3.0nm @ 30kV, 10nm @ 3kV

　　環(huán)境真空模式3.0nm @ 30kV

　背散射電子4.0nm @ 30kV

2.樣品室壓力zui高達2600Pa

3.加速電壓200V～30kV，連續(xù)調(diào)節(jié)

4.樣品臺移動范圍

Quanta 250: X=Y=50mm

Quanta 450: X=Y=100mm

Quanta 650: X=Y=150mm

主要特點：

1.FEI ESEM(環(huán)境掃描電鏡)技術(shù),可在高真空、低真空和環(huán)境真空條件下對各種樣品進行觀察和分析。

2.所有真空條件下的二次電子、背散射電子觀察和微觀分析。

3.*的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)平臺，全數(shù)字化系統(tǒng)。

4.可同時安裝能譜儀、波譜儀和EBSP系統(tǒng)。

5.可安裝低溫冷臺、加熱臺、拉伸臺等進行樣品的原位、動態(tài)觀察和分析。